发布网友
发布时间：2022-04-21 00:03
共2个回答
热心网友
时间：2023-02-09 08:46
变频器中的lgbt指的是绝缘栅双极型晶体管，全称为Insulate-Gate Bipolar Transistor。
lgbt综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
模块特点
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见，与BJT相比具有更好的电流传导能力，在正向与反向隔离方面参数也更优秀。
IGBT具有非常低的导通压降与优秀的导通电流密度，所以可以使用更小尺寸的器件从而降低成本，因为栅极结构使用MOS管的同类设计，所以驱动功率非常小，驱动电路也很简单，与可控硅/BJT这些电流控制型器件来比，在高压与高电流应用场景，IGBT非常易于控制。
以上内容参考：百度百科-绝缘栅双极晶体管
热心网友
时间：2023-02-09 10:04