三极管a1980为什么E极和C极是通的？

发布网友 发布时间：2022-03-27 14:09

我来回答

共4个回答

懂视网 时间：2022-03-27 18:31

a1980是iPad Pro的型号。

　　

　　iPad Pro于北京时间2018年10月30日22点发布。新款iPad Pro几乎没有边框。液态视网膜显示屏。全色调，支持多种色彩显示。iPad Pro使用A12X仿生芯片，这种7纳米制程的芯片类似于苹果最新iPhone中的A12，在图形处理方面，使用苹果的7核GPU，它承诺达到“Xbox One S级图形性能”，图形处理是新款iPad的重要部分。2018年12月19日，iPad Pro在《时代周刊》评出的“2018年度十大电子产品”中排第9位。

　　

　　iPad Pro重量不足一斤，电池续航最长却可达10小时，能够满足一天所需。高速无线网络和4G LTE Advanced方便在更多地方连线上网。还能以无线方式打印、投影或传输文件。iPad Pro 支持键盘，以应对各种需要。全尺寸屏幕键盘不仅可以轻松处理邮件或写论文，而且还能作为触控板来使用。如果需要使用全尺寸实体键盘，只需接上键盘式智能双面夹，就能获得出色的输入体验和正背两面的妥帖保护3。它还能当记事本、画布、扫描仪和出色的增强现实设备。

热心网友 时间：2022-03-27 15:39

在前面我们讲了，半导体器件主要可以分为二极管类和三极管类。本文主要讲解三极管类器件的原理，以及它们在工程学上的基本应用。毫无疑问，二极管和三极管类器件的出现，拉开了逻辑电路的序幕。那么，三极管类器件和逻辑电路由有什么关系呢？在探讨这个话题之前，我们有必要先学习下三极管类器件的基本原理的学习。

三极管和MOS管的工作原理

前面的知识，我们可以简单总结为2部分：

1. 电子存在于万物之中，自然状态下，物体是否导电，取决于它内部自由电子的多少。自由电子多，导电性能良好的物体称为导体。自由电子少，导电性能差的物体，称为绝缘体。导电性能既可以好，又可以不好的物体，称为半导体。注意：导体和绝缘体的定义永远都是相对的。物体A通流1mA，物体B通流1uA。我们可以定义物体A为导体，物体B为绝缘体。同样地，物体A通流1mA，物体B可通流1A。则物体B为导体，物体A为绝缘体。

2. 半导体器件是否导电，取决于其内部载流子的多少，而半导体器件内部载流子有2类，分别为电子（自由电子）和空穴（离子）。自由电子的运动方向与电场方向相反，空穴的运动方向与电场方向相同。电子数量远多于空穴数量的半导体，因电子带负电，称为N型半导体（Negative）。空穴数量远多于电子数量的半导体，因空穴带正电，称为P型半导体（Positive）。

NPN三极管的工作原理
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成（掺杂工艺一体成型，并非拼接），发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。如下图所示：

在制作时，C区掺杂低浓度自由电子，B区掺杂中量的空穴，而且要做的很薄，E区掺杂高浓度的自由电子。三极管导通的条件是B相对E极加正电压（发射结正偏）。C极相对B极加正电压（集电结反偏）。如下图所示：

A．接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）通过外部偏置电源E1和导线流入基区，而基区的多数载流子（空穴）通过外部电源和导线流入发射区。

B．由于发射区电子的的浓度远大于基区空穴的浓度，所以在基区和发射区，空穴和电子复合（带负电的电子和带正电的离子结合成不带电的分子，称为复合）后，还剩余很多自由电子，在基区集结了大量自由电子后，由于集电结反偏，只要基区内有靠近集电结的自由电子，都会被反向集电结的强电场作用，扫入到集区。

我们发现大量的发射区的电子经过外部电源E1和导线流入基区，由于发射结正向导通，形成电流回路，这股电子流称为发射极电流IE（Emitter Current）。

这些电子中的一少部分与基区的空穴复合消失，同时又不断产生，所以，等效复合掉又产生的电子，形成的电流回路，称为基极电流IB。

即使复合掉一部分，还剩余的大部分电子在基区，这些电子经过集电结的反偏电压，被集电结的电场力扫入到集区内，到达集电区，由于集电区本身自由电子浓度高，可以形成扩散电流，再经过E2和导线，形成电流回路。这个电流称为集极电流IC。

从电子的形成过程，我们可以看出：

IE=IC+IB，且IC远大于IB。

此处一定要关注电流的定义：电流由电子移动时产生，且必须有回路。正偏的发射结电压，使得大量的电子从发射区到达基区，但是只有少数电子从基区到达了发射区（经过扩散和重新产生）。所以我们发现，到达基区的电子很多，但是发射结电流却很小。剩余的大部分电子只有在集电结增加足够的反偏电压后，才能形成回路，重新到达发射区。

所以以上过程又可以等效描述为：产生很小的IB，伴随产生着很多的自由电子，这些电子只有在集电结增加反偏电压后，才能形成回路，产生真正的大电流IC。所以我们称晶体管器件为电流控制型放大器件。

为了表征这一放大特征，我们定义两个直流放大倍数：β=IC/IB，α=IC/IE。这两个值决定了晶体管的电流放大能力。

如上即为NPN三极晶体管的工作原理。PNP型三极管原理类似。

N型MOS管的工作原理
NMOS全称为N型金属-氧化物-半导体。其结构如下：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅），作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好，也可以不连接，作为模拟开关使用)。

热心网友 时间：2022-03-27 16:57

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
中文名
三极管
外文名
Bipolar Junction Transistor
别名
晶体三极管
发明时间
1947年
材料
半导体
快速
导航
发展历史工作原理产品分类产品参数判断类型结构类型产品作用工作状态产品判别放大电路产品符号产品命名选型替换测判口诀
基本释义
三极管[1]（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件。
可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
“Triode”（电子三极管）这个是英汉词典里面 “三极管” 的唯一英文翻译，与电子三极管初次出现有关，是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的在中文里称作三极管的器件，实际翻译时不可以翻译成Triode。
电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）

热心网友 时间：2022-03-27 18:31

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
中文名
三极管
外文名
Bipolar Junction Transistor
别名
晶体三极管
发明时间
1947年
材料
半导体
快速
导航
发展历史工作原理产品分类产品参数判断类型结构类型产品作用工作状态产品判别放大电路产品符号产品命名选型替换测判口诀
基本释义
三极管[1]（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件。
可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
“Triode”（电子三极管）这个是英汉词典里面 “三极管” 的唯一英文翻译，与电子三极管初次出现有关，是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的在中文里称作三极管的器件，实际翻译时不可以翻译成Triode。
电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）