助溶剂法晶体生长的特点

发布网友 发布时间:2024-10-23 01:23

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热心网友 时间:2024-11-02 11:52

【答案】:①三维成核要求的过饱和度一般都比较大,晶体生长阶段所需要的过饱和度也比较高;②晶体生长阶段一般遵从螺旋位错生长机制,或通过顶角和晶棱成核;③晶体生长速度主要受溶质穿过边界层的扩散过程*;④热量输运对晶体生长的影响可忽略。该生长法可分为两类:①自发成核法;②籽晶生长法。
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